"Tecnologie a film sottili su larga area per i modelli fotovoltaici di silicio". È questo l'ambito di ricerca che l'Enea - Ente per le nuove tecnologie, l'energia e l'ambiente - ha individuato per il conferimento di un assegno biennale di ricerca rivolto a laureati di vecchio ordinamento o di specialistica in chimica o chimica industriale che non abbiano un'età superiore ai 35 anni e che abbiano conseguito il titolo con una votazione non inferiore a 105/110 o a 95/100.

Sarà considerato titolo preferenziale la conoscenza delle tecniche di analisi strutturale dei materiali, o delle tecniche di deposizione di film sottili, o delle tecnologie fotovoltaiche.

Il periodo di ricerca della durata di 24 mesi verrà svolto presso il Centro Ricerche di Portici e prevede un importo annuo lordo pari a 17.000 euro.

I candidati dovranno inviare la propria domanda entro il 13 luglio, a mezzo raccomandata, all'ENEA - Direzione Centrale Risorse Umane - Lungotevere Thaon di Revel 76 - 00196 Roma allegando curriculum vitae et studiorum; una sintesi della tesi di laurea; eventuali titoli o pubblicazioni.

Una volta inviata la propria candidatura, bisognerà superare due prove: una orale e una scritta. In allegato il bando del concorso seguito da fac-simile della domanda di candidatura. (a.m.)